QDPAK&TOLT顶部散热封装，助推华润微SJ&SiC MOS进一步提升终端产品功率密度
随着高端科技的不断发展，现代工业、车业等高端应用领域对功率器件提出了更高功率密度、更低功耗、体积小、散热能力强等严苛的要求。为此，华润微电子功率器件事业群（以下简称PDBG）推出了基于QDPAK&TOLT顶部散热封装的SJ&SiC MOSFET产品，高度匹配OBC、AI服务器电源等高端应用领域需求。
新品介绍
2025-07-01
华润微推出宽SOA系列MOSFET产品
近年来，汽车、无人机、AI等市场对宽SOA MOSFET产品的需求快速增长，华润微电子旗下功率器件事业群（以下简称PDBG）推出宽SOA系列MOSFET产品，可满足热插拔、缓启动、电子保险丝、电机驱动、BMS等系统对器件高性能、高可靠性的需求。PDBG通过调整工艺以及开发独特沟道控制技术，攻克了线性区MOSFET的热均匀问题，增加了MOSFET在高压大电流工作区域的SOA曲线宽度。
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2025-07-01
适用于AI服务器等高性能服务器电源的MOSFET
新产品共3款机型，包括非常适用于企业级高性能服务器12V系统电源的AC-DC转换电路二次侧和热插拔控制器（HSC）*4电路的“RS7E200BG”（30V），以及非常适用于AI服务器48V系统电源的AC-DC转换电路二次侧的“RS7N200BH（80V）”和“RS7N160BH（80V）”。
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2025-05-12
650V耐压GaN HEMT新增小型、高散热TOLL封装
为了实现无碳社会，“提高用电量占全球一大半的电源和电机的效率”已成为全球性的社会问题。功率元器件是提高其效率的关键，SiC（碳化硅）、GaN等新材料有望进一步提高各种电源的效率。ROHM于2023年4月将650V耐压的第1代GaN HEMT投入量产，并于2023年7月将栅极驱动器和650V耐压GaN HEMT一体化封装的Power Stage IC投入量产。为了应对大功率应用中的进一步小型、高效率化的市场要求，ROHM采取在以往的DFN8080封装基础上追加的形式来强化650V GaN HEMT
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2025-05-12
几个问答读懂ADI电源技术为何“乘风破浪”
当下，能源转型与数字革命驱动着电源行业进行深刻变革，ADI凭借自身深厚的技术底蕴和战略布局始终走在前沿。本文将通过与ADI电源业务拓展与客户解决方案副总裁Peter Hellstroem的几个问答，深入探寻ADI如何以技术创新应对行业变革，推动电源系统向更高效、更紧凑、更智能的方向演进。
行业动态
2025-05-09
硅基功率开关的转型之路：GaN开关的机遇与挑战
在开关模式电源中使用GaN开关是一种相对较新的技术。这种技术有望提供更高效率、更高功率密度的电源。本文讨论了该技术的准备情况，提到了所面临的挑战，并展望了GaN作为硅的替代方案在开关模式电源中的未来前景。如今，电源管理设计工程师常常会问道：现在应该从硅基功率开关转向GaN开关了吗？
应用方案
2025-05-09
英飞凌为AI数据中心注入“芯”动力：高功率密度模块+先进电池备份
英飞凌宣布推出新一代高密度功率模块，该模块将在实现AI和高性能计算方面发挥关键作用。全新OptiMOS™ TDM2454xx四相功率模块通过提升系统性能并结合英飞凌一贯的稳健性，为AI数据中心运营商实现业界领先的功率密度，降低总体拥有成本（TCO）。
新品介绍
2025-05-06
可智能深度学习的AI摄像机模组方案
AI摄像机模组主要定位为行业AI摄像机模组，广泛应用在泛安防行业，实现人脸识别、人脸抓拍、电动车识别、车牌识别等功能，用于实现身份验证、人员、车辆等管理。感算商城联合知名方案公司的AI摄像机模组严选主控和sensor方案，以海思和星辰主控方案为主、加上专业的索尼sensor，做成专业的摄像机模组，可
应用方案
2025-03-13
两线式接口超低功耗数字温度传感器——华科鸿溟HK1003
HK1003是一款采用4 焊球晶圆级芯片规模封装(WLCSP) 的低功耗数字温度传感器。HK1003具有一个兼容I2C 和 SMBus 接口的两线式接口，同时，该接口还支持多器件存取 (MDA)命令，允许主控器与总线上的多个器件同时进行通信
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2025-04-10
电源解决方案：离散，模块化，完整
实现所需系统性能的一个重要要素是选择电源解决方案。开发人员可以从各种选项中进行选择，无论是他们自己的离散设计，使用DC/DC模块和一些外部组件还是完整的，现成的解决方案。由于市场上可用的转换器和电源大量，因此在大多数情况下都可以找到解决方案，并且对半定制或完全定制设计的需求正在减少。 一般的经验法则
应用方案
2025-02-28
