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SOT-227 封装 650 V 和 1200 V SiC 肖特基二极管,提升高频应用效率
新品介绍
新品发布 | 瑞萨推出性能卓越的新型MOSFET
全球半导体解决方案供应商瑞萨电子(TSE:6723)宣布推出基于全新MOSFET晶圆制造工艺——REXFET-1而推出的100V大功率N沟道MOSFET——RBA300N10EANS和RBA300N10EHPF,为电机控制、电池管理系统、电源管理及充电管理等应用提供理想的大电流开关性能。基于这一创新