GAN晶体管电路的布局注意事项
由于GAN的高开关速度，寄生电感与老化功率MOSFET相比，在较高的频率下使用GAN的能力使寄生电感在功率转化电路中的降解作用焦点[1]。这种电感阻碍了GAN额外的开关功能的全部利益，而EMI产生降低。对于大约80％的功率转换器中使用的半桥配置，寄生电感的两个主要来源是： （1）由两个电源开关设备以
电源
技术分享
2025-03-05
如何对耗尽型pHEMT射频放大器进行有效偏置？
假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)是耗尽型器件，其漏源通道的电阻接近0 Ω。此特性使得这些器件可以在高开关频率下以高增益运行。然而，如果栅极和漏极偏置时序不正确，漏极沟道的高电导率可能会导致器件烧毁。本文探讨耗尽型pHEMT射频(RF)放大器的工作原理以及如何对其有效偏置。耗尽型场效应晶体管(FET)需要负栅极电压，并且必须小心控制开启/关断的时序。文中将介绍并比较固定栅极电压和固定漏极电流电路。我们还将仔细研究这些偏置电路的噪声和杂散对RF性能有何影响。
ADI(亚德诺)
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2025-10-14
