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英诺赛科INN100W032A GaN功率器件

来源：感算

作者：感算

发布时间：2024-7-16

阅读量：52

INN100W032A GaN功率器件是英诺赛科（InnoSenT）基于GaN技术开发的一种增强型的GaN（氮化镓）功率器件。GaN是一种新型的 半导体 材料，具有优异的电子特性，特别适用于高频、高功率和高温应用。它具有较高的功率密度和效率的特点，能够在较小的尺寸下提供更大的功率输出。该器件可用于各种应用领域，如Class-D、通信基站、电机驱动等，以提供高性能和可靠的功率放大功能。本文将重点介绍英诺赛科INN100W032A GaN功率器件。

 

英诺赛科INN100W032A GaN功率器件1

 

 

1. 规格参数

·耐压：100V

·导阻：3.2mΩ

·封装：WLCSP 3.5mmx2.13mm

·品质因数：硬开关16%；软开关39%

 

 

2. 产品对比表（与Si Vendor对比）

 

英诺赛科INN100W032A GaN功率器件2

 

 

3. 产品特点

(1) 高功率密度：较高的电子迁移率和较低的电阻，能够实现更高的功率密度，提供更高的输出功率。

(2) 高开关速度：更快的开关速度，能够实现更高的开关频率，提高系统的响应速度。

(3) 低导通损耗：较低的导通电阻，能够降低导通损耗，提高系统的效率。

(4) 高可靠性：较高的可靠性和稳定性，能够满足长时间稳定运行的要求。

(5) 小尺寸：可以实现更小的尺寸，节省系统空间。

 

 

4. 应用范围

 

英诺赛科INN100W032A GaN功率器件3

 

英诺赛科INN100W032A GaN功率器件具有高功率密度、高开关速度、低导通损耗和高可靠性等产品特点，适用于各种高性能功率电子应用。如果您有任何产品的需求，请随时联系我们，我们将竭诚为您服务。

 

半导体 消费电子
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