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GAN晶体管电路的布局注意事项

GAN晶体管电路的布局注意事项

由于GAN的高开关速度,寄生电感与老化功率MOSFET相比,在较高的频率下使用GAN的能力使寄生电感在功率转化电路中的降解作用焦点[1]。这种电感阻碍了GAN额外的开关功能的全部利益,而EMI产生降低。对于大约80%的功率转换器中使用的半桥配置,寄生电感的两个主要来源是: (1)由两个电源开关设备以

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2025-03-05
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