瑞萨电子推出全新GaN FET，增强高密度功率转换能力，适用于AI数据中心、工业及电源系统应用
全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）宣布推出三款新型高压650V GaN FET——TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS，适用于人工智能（AI）数据中心和服务器电源（包括新型800V高压直流架构）、电动汽车充电、不间断电源电池备份设备、电池储能和太阳能逆变器。此类第四代增强型（Gen IV Plus）产品专为多千瓦级应用设计，将高效GaN技术与硅基兼容栅极驱动输入相结合，显著降低开关功率损耗，同时保留硅基FET的操作简便性。新产品提供
新品介绍
2025-07-14
破局冷却互连难题！安费诺创新方案直击新一代数据中心与 AI 应用挑战！
随着数据中心和AI应用的性能不断提升，它们所需的电力越来越多，现有的空气冷却技术在提高冷却效率方面的进展无法支持这一电力需求的增长。在某些应用场景中，AI模型训练对每个机架的功耗要求增加到100千瓦以上，其中仅风冷风扇就占到服务器功耗的15%。为了提高冷却能力并减少长期资本支出，市场正在寻求替代空气冷却的方法。液体冷却和浸没式冷却可用于AI和高性能计算架构中的所有组件，包括XPU、存储和网络。
行业动态
2025-07-09
48V 集成式热插拔电子保险丝：为现代 AI 数据中心高效供电
随着高性能计算和人工智能不断发展，数据中心需要高功率密度的高效解决方案来支持最新的中央处理单元、图形处理单元 (GPU) 和硬件加速器。然而，由于需要提高功率密度并转向 48V 电源架构来满足处理需求，这带来了新的挑战，尤其是在以下情况下：保持可靠性、效率和可扩展性的同时，管理大于 6kW 的功率级别。
技术分享
2025-05-14
